报告人：李涛涛 副教授 （南京大学）

时 间：2025年11月26日（周三）14:00~15:00

地 点：良乡校区，物理实验中心229会议室

摘要：

过渡金属硫族化合物具有原子尺度的极限厚度、高迁移率和可后端异质集成等特点，为解决后摩尔时代集成电路功耗和算力问题提供新的解决方案。大面积、高质量的材料外延制备是实现未来集成应用的基础。近期，我们开发了单分子层表面钝化技术，获得P1对称性表面，实现了TMDC单一取向的外延生长，在国际上首次实现6英寸二维半导体单晶（MoS2/WS2/MoSe2/WSe2）普适性外延制备。所得材料展现数优异的电学性质，其中n型MoS2室温平均迁移率110 cm2V-1s-1, p型WSe2室温平均迁移率130 cm2V-1s-1，为二维CMOS电路奠定关键的材料基础。进一步，利用多种表征技术和第一性原理计算，构建了P1对称性的表面原子结构模型，揭示了表面对称性对二维半导体材料的外延关系、外延取向调控的物理本质。该技术兼容多种CVD、MOCVD工艺和产业化蓝宝石衬底，可扩展至12英寸，具备规模化制造能力，为二维半导体产业化提供了明确路径。

简历：

李涛涛，南京大学集成电路学院准聘副教授，博士生导师，国家优秀青年基金获得者。主要研究方向为晶圆级二维半导体单晶外延生长及器件应用。近五年以第一/通讯作者（含共同）的研究成果发表在Science, Nature, Nature Nanotechnology, Nature Materials等期刊，引用4000余次。获中国、美国、日本专利授权12项，入选小米青年学者、2DM新锐青年科学家、姑苏创新创业领军人才等，成果入选江苏省优秀博士学位论文（2023）、中国半导体十大研究进展（2022）、京博科技奖（2022）、江苏省自然科学百篇优秀学术成果论文（2023）等。

联系方式：13621092854

邀请人： 郑守君、周家东

网 址：http://physics.bit.edu.cn/

承办单位：物理学院、先进光电量子结构设计与测量教育部重点实验室