北京理工大学与中国科学院半导体研究所（以下简称“半导体所”）联合举办的第三期“黄昆英才班”，5月17日下午在理科教学楼209室举行首次开班讲座。半导体所芯片物理与技术全国重点实验室主任骆军委研究员、副主任朱礼军研究员，光电子材料与器件全国重点实验室石暖暖副研究员和孙琳钧助理研究员，分别给同学们做了四场专题报告。我校2022级黄昆班同学，以及我院大三年级“求是”班和“强基”班同学参加了本次学习活动。讲座由钟海政教授主持。

骆军委老师首先做了题为“后摩尔硅器件半导体前沿物理“的报告。详细介绍了团队近期在突破硅晶体管物理瓶颈方面的一系列理论研究进展，包括解释费米钉扎效应新机制提出解决接触电阻瓶颈新方案，GAA晶体管空穴迁移率退化问题，以及可克服高k介电层材料和铁电晶体管瓶颈的光学声子软化新理论。还介绍了硅基比特材料理论设计方面的研究进展。

石暖暖老师做了题为“光电融合智能计算技术研究”的专题报告。提出光电融合智能计算兼具光子高算力加速计算以及微电子成熟存储与计算双重优势，是我国先进制程受限下实现芯片性能突破新路径。报告聚焦光电融合卷积神经网络，介绍了高算力密度光电卷积智能计算，高算力密度光电张量智能计算、智能驱动可编程规模化光子芯片和光电智能伊辛机等研究工作。

孙琳钧老师做了题为“深度建模方法及其在学科交叉中的应用技术”的专题报告。生动介绍了人工神经网络与深度学习技术方面的前沿研究，特别是深度符号建模方法及其应用。

朱礼军老师做了题为“后摩尔时代的自旋方案”的专题报告，指出人类已经进入后摩尔时代，电荷型芯片技术面临严峻速度和功耗瓶颈，无法通过器件微缩和架构结构实现根本性解决。只有采用全新原理器件，才有可能从根本上解决芯片速度、功耗和集成难题，才能彻底变革信息技术满足后摩尔时代算力需求。报告提出了后摩尔时代最有前景的解决方案---基于自旋量子新原理的硅基存储和逻辑器件的科学前沿、最新进展等。

每次讲座结束后，老师们都会给同学们进行详尽的答疑解惑。我校与半导体所联合举办的“黄昆英才班”项目，是对“科教结合、协同育人”理念生动实践。通过深度整合半导体所在光学、芯片材料领域的前沿科研优势与北理工在人才培养方面的深厚底蕴，构建起"学术研究-产业应用"双向贯通的育人体系。半导体所张菁研究员，材料学院翟华嶂老师，和物理学院李军刚教授、衡成林老师、温敏老师联合组织了此次活动。